RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
4219
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link