RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
65
Wokół strony -210% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
4293
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link