RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
72
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
72
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1631
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link