RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2045
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link