RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
65
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2522
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link