RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2067
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link