RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2002
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD3-1333 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link