RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
65
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
46
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
10.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2239
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link