RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
65
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
45
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2477
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link