RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3090
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link