RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston XN205T-MIE2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3698
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XN205T-MIE2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link