RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Maxsun MSD48G30M3 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3105
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link