RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link