RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
65
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2585
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link