RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
65
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2782
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link