RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2973
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link