RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
65
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
46
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2632
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link