RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
72
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
72
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1918
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link