RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3040
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link