RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
65
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link