RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
65
Wokół strony -282% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
21.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3320
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link