RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3076
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link