RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
65
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
56
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2235
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link