Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9L5 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.01GA0.9L5 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Apacer Technology 78.01GA0.9L5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9L5 1GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    24 left arrow 50
    Wokół strony 52% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 6400
    Wokół strony 3% większa szerokość pasma
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 16
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,107.1 left arrow 12.5
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9L5 1GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    24 left arrow 50
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.0 left arrow 4,837.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.5 left arrow 2,107.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    19200 left arrow 6400
Other
  • Opis
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Taktowanie / szybkość zegara
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2925 left arrow 623
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania