RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
64
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2194
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link