RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB

Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 64
    Около 63% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 10.2
    Среднее значение в тестах
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB Причины выбрать
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.9 left arrow 16
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 64
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 17.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 10.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2194

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
модули RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
модули RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
модули RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
модули RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
модули RAM