RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
56
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
56
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2296
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link