RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
56
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
56
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2296
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9905403-198.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link