RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
56
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.6
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
56
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2296
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link