RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
56
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.6
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
56
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2296
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link