RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
77
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2804
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link