RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
77
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2804
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XF875V-HYA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link