RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link