RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de 4% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
16
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
INTENSO 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link