RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
77
166
Autour de 54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
166
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
1107
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link