RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
77
166
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
166
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1107
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link