RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2703
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link