RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2703
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link