RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
24
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
18
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3704
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link