RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
19.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3704
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link