RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3678
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link