RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3678
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link