RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3401
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lenovo 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link