RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3401
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link