RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2291
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link