RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2291
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link