RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3179
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link