RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 31
    Около 23% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 11.7
    Среднее значение в тестах
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.3 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 16.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 11.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3179

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB Сравнения RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
модули RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
модули RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
модули RAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
модули RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
модули RAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
модули RAM