RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
71
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3141
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link