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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
71
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
33
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3141
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
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