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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
71
Intorno -115% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
33
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3141
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
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