Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Puntuación global
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 49
    En -58% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.9 left arrow 10
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.4 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    49 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.0 left arrow 16.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 12.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow no data
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2116 left arrow 3043
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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