RAM-Vergleich Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Gesamtnote

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 49

Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.9 10

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.4 8.2

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 , 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2116 3043

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns